Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 1,6А; 900мВт; X2-DFN1310-6

Немає в наявності
Код товару: DMN1150UFL3-7
8,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN1150UFL3-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 1,4нКл
Корпус: X2-DFN1310-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 0,21Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: 1,6А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Конектор: плоский; 6,35мм; затискання; неізольований; латунь
Конектор: плоский; 6,35мм; затискання; неізольований; латунь

9,00 грн

Версія наконечника:
неізольований
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
латунь
Розмір проводу:
17AWG...14AWG
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 4,75кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 4,75кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 200мОм; SMD; 0603; 200мВт,250мВт; ±1%
Резистор: thick film; 200мОм; SMD; 0603; 200мВт,250мВт; ±1%

3,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл