1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,84А; 0,53Вт; SOT563; ESD

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,84А; 0,53Вт; SOT563; ESD
Немає в наявності
Код товару: DMN2400UV-7
19,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN2400UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT563
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,53Вт
Струм стока: 0,84А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 54,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 54,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

2,31 грн

Alias:
KGM15ACG1H391FT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630ВDC; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 630ВDC; X7R; ±20%; SMD; 1206

8,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Діод: TVS; 8кВт; 14,4÷15,9В; 372,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 8кВт; 14,4÷15,9В; 372,1А; двоспрямована; ±5%; DO214AB

164,09 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
13В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,3пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,77 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 25/-25В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,3Вт; SO8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -6,9А; 1,6Вт; SO8

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 4,1А; 0,8Вт; SO8

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8/9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3,5А; 1,1Вт; SO8

19,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD