Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 3,1/-1,7А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI3585CDV-T1-GE3
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI3585CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,8/9нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 78/316мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9/8Вт
Струм стока: 3,1/-1,7А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 90; LAT-CON127
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 90; LAT-CON127

216,04 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
6,2мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА

356,06 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Конденсатор: керамічний; 18нФ; 50ВDC; BX; 3,2x1,6x1,3мм
Конденсатор: керамічний; 18нФ; 50ВDC; BX; 3,2x1,6x1,3мм

38,46 грн

Діелектрик:
BX
Ємність:
18нФ
Робоча напруга:
50В DC
Розміри корпусу:
3,2x1,6x1,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJU06F
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; ERJU06F

0,96 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 442кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 442кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
442кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 240кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 240кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6/5,4нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 11А; Idm: 70А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 11А; Idm: 70А; 1,56Вт; ESD

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; Idm: 14А; 6,94Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; Idm: 14А; 6,94Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD