Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,89А; 0,53Вт; SOT563; ESD

Немає в наявності
Код товару: DMG1024UV-7
29,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMG1024UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT563
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,53Вт
Струм стока: 0,89А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; PS; 200В

1,85 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Резистор: thick film; 1,27Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 1,27Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,61 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 43Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; -55÷125°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 63ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 63ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%

11,28 грн

Висота:
11,5мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Недоступний
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; 16А; 400В; PIN: 10
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; 16А; 400В; PIN: 10

2726,82 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
Han High Temp 10E-s Male
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD