1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AO4612
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AO4612
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Заряд затвора: 4,3/8нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60/-60В
Опір в стані провідності: 56/105мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,28Вт
Струм стока: 3,6/-2,6А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; PS; 500В

3,93 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,8Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C

9,63 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 147Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

1,19 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
LoRa-CC68-915-T : FCC ID Certified LLCC68 LoRa Wireless Transceiver Modulewith TCXO & ESD Protection
LoRa-CC68-915-T : FCC ID Certified LLCC68 LoRa Wireless Transceiver Modulewith TCXO & ESD Protection

0,00 грн

Вихідна потужність:
160mW
Мікроконтролер:
LLCC68
Модуляція:
LoRa
Частота:
915MHz
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 75В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 75В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

2197,16 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
75В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Викрутка: динамометрична; 165мм; 1÷5Нм; 1/4"; MicroClick MC5; ±6%
Викрутка: динамометрична; 165мм; 1÷5Нм; 1/4"; MicroClick MC5; ±6%

3786,75 грн

Докладність вимірювання:
±6%
Загальна довжина:
165мм
Обертаючий момент:
1...5Нм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8