Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 220мА; Idm: 0,8А; 125мВт

Немає в наявності
Код товару: NTUD3174NZT5G
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTUD3174NZT5G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT963
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,125Вт
Струм стока: 0,22А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD323; SMD; 20В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD323; SMD; 20В; 1А; ролик,cтрічка

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
25пФ
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
SOD323
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 10Аx2; TO220AB; Ufmax: 790мВ
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 10Аx2; TO220AB; Ufmax: 790мВ

63,36 грн

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
0,79В
Недоступний
Резистор: thick film; 24,9Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 24,9Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: тригер; 3,75кВ; 10Мбіт/с; SO8; 10кВ/мкс
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: тригер; 3,75кВ; 10Мбіт/с; SO8; 10кВ/мкс

311,07 грн

Вид виходу:
тригер
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; кутовий
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; кутовий

1119,49 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thin film; 11,3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 11,3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD