Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMN53D0LDW-7
17,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN53D0LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 2,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,31Вт
Струм стока: 0,25А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Інструмент: для монтажа; тестові голки; 48,2мм; 50мНм
Інструмент: для монтажа; тестові голки; 48,2мм; 50мНм

7478,47 грн

Використання:
тестові голки
Довжина:
48,2мм
Момент затягування:
50мНм
Тип інструмента:
для монтажа
Недоступний
Резистор: thin film; 117Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 117Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1187,91 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,333А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

8,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
20,7мм
Недоступний
Резистор: thick film; 787кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 787кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 422мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 422мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

2,14 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD