1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3,8А; 1,4Вт; MicroFET

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3,8А; 1,4Вт; MicroFET
Немає в наявності
Код товару: FDME1024NZT
14,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: FDME1024NZT
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,2нКл
Корпус: MicroFET
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: 3,8А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V

14,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 12,9В; 33А; односпрямована; ±5%; DO221AC; TPSMA6L
Діод: TVS; 600Вт; 12,9В; 33А; односпрямована; ±5%; DO221AC; TPSMA6L

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
11В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 45В; 10А; DO201AD; Ufmax: 0,47В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 45В; 10А; DO201AD; Ufmax: 0,47В

50,68 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
DO201AD
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM7TDMI; 32кБSRAM; Flash: 256Кx8бит; LQFP64
IC: мікроконтролер ARM7TDMI; 32кБSRAM; Flash: 256Кx8бит; LQFP64

1089,08 грн

Інтерфейс:
I2C; Microwire; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
47
Кількість перетворювачів A/D 10бит:
16
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 6; штекерний; промислова; 30В; прямий; IP67
Роз’єм: M8; гніздо; PIN: 6; штекерний; промислова; 30В; прямий; IP67

795,74 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
6
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 8А; DO201AD; Ufmax: 0,79В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 8А; DO201AD; Ufmax: 0,79В

42,45 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO201AD
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 6,98кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 6,98кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
23,1нКл
Корпус:
U-DFN2020-6