Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI4948BEY-T1-GE3
96,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,95Вт
Струм стока: -2,4А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Кожух; метал; гвинт; 254x254мм; чорний
Кожух; метал; гвинт; 254x254мм; чорний

224,91 грн

Колір:
чорний
Кріплення:
гвинт
Матеріал:
метал
Розмір вентилятора:
254x254мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

6,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 1206

5,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Провід; 0,2мм2; дріт; Cu; ПВХ; зелений; 60В; 1x0,2мм2; 100м
Провід; 0,2мм2; дріт; Cu; ПВХ; зелений; 60В; 1x0,2мм2; 100м

898,38 грн

Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Вміст упаковки:
100м
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 63ВDC; Ø4x7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 63ВDC; Ø4x7мм; ±20%

4,40 грн

Висота:
7мм
Діаметр:
4мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; SMT; 3A; 250V

95,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/2,2нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт

14,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD