1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 308мА; Idm: 1,4А; 400мВт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 308мА; Idm: 1,4А; 400мВт
Немає в наявності
Код товару: DMN2991UDJ-7
2,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN2991UDJ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,35нКл
Корпус: SOT963
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 2,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 308мА
Струм стоку в імпульсі: 1,4А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

5,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 100ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

2,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
68нФ
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 6кВ; Uce: 90В; DIP6
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 6кВ; Uce: 90В; DIP6

31,04 грн

CTR@If:
63-125%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP6
Недоступний
Резистор: thick film; 7,68кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 7,68кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18ВDC; -55÷125°C
IC: цифровий; NAND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; SO14; 3÷18ВDC; -55÷125°C

22,17 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А

2351,75 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
2,5А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 200В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 200В; X7R; ±5%; SMD; 0805

2,37 грн

Alias:
KGM21NR72D471JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 60В; 3А; 2,5Вт

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,2нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,95/1,1нКл