Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJT7603_R1_00001
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJT7603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,95/1,1нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50/-60В
Опір в стані провідності: 2,5/6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: -250/400мА
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1206; 100мкГн; 80мА; R: 15,6Ом; -30÷105°C
Реактор: дротяний; SMD; 1206; 100мкГн; 80мА; R: 15,6Ом; -30÷105°C

8,43 грн

Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2,05кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,05кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
2,05кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 5,49кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 5,49кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 723Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 723Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; NS; 150В
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; NS; 150В

0,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 18кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 18кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 630В; X7T; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 630В; X7T; ±10%; SMD; 1210

5,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD