1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,7А; 1Вт; TSSOP8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,7А; 1Вт; TSSOP8
Немає в наявності
Код товару: AO8810
20,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AO8810
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 5,7А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

8,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; неекранований; срібний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; неекранований; срібний

9168,79 грн

Колір:
срібний
Модель роз’єму:
неекранований
Тип корпусу для з’єднувачів:
D-Sub
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 100V

112,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; AMI
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; AMI

275,60 грн

Зовнішні розміри:
12,8x29,4x17,45мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
сплав срібла
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 17,4Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 17,4Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; V; 8,8x8,4x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; ±20%; V; 8,8x8,4x3,8мм

18,31 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
8,8x8,4x3,8мм
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 100В; 17А; 16Вт

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
23,1нКл
Корпус:
U-DFN2020-6