Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6

Немає в наявності
Код товару: CSD85301Q2T
95,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD85301Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: WSON6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,3Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 26А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Резистор: thin film; 158кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 158кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Гніздо,контакт; гніздовий; мідь,сплав міді; позолочений; 24AWG
Гніздо,контакт; гніздовий; мідь,сплав міді; позолочений; 24AWG

10166,64 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
мідь; сплав міді
Механічний монтаж:
для проводу
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; 35А,40,5А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; 35А,40,5А

696,91 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
14,9мм
Електричний монтаж:
PCB; THT; паяння
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,36 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
820пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Симістор; 600В; 16А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 168А
Симістор; 600В; 16А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 168А

117,21 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
high temperature
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 2,15кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 8А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 8А

306,64 грн

Зовнішні розміри:
28,5x10,1x12,3мм
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
8А
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6/5,4нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 11А; Idm: 70А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 11А; Idm: 70А; 1,56Вт; ESD

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; Idm: 14А; 6,94Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; Idm: 14А; 6,94Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD