Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,3А; Idm: 30А; 1,08Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AO8808A
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AO8808A
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17,9нКл
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,08Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 6,3А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-113; CuBe; 1N; screw-in; 30mΩ
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-113; CuBe; 1N; screw-in; 30mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±1%; PS; 400В

2,81 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Адаптер; сірий; 3А; 62,4мм; поліамід; Модель: ізольований; 150В
Адаптер; сірий; 3А; 62,4мм; поліамід; Модель: ізольований; 150В

969,34 грн

Відповідність стандарту:
CAT III 150V; EN 61010
Загальна довжина:
62,4мм
Колір:
сірий
Конструкція кабелю/переходу:
BNC вилка; банан 4мм гніздо x2
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO220-3

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Connector: pin strips; male; data; PIN: 20; THT; Inom: 5A; straight
Connector: pin strips; male; data; PIN: 20; THT; Inom: 5A; straight

175,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,2мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 24МГц; QFN24; 4кБRAM,16кБFLASH; ШИМ: 2
IC: мікроконтролер ARM; 24МГц; QFN24; 4кБRAM,16кБFLASH; ШИМ: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI; UART x2; USART
Кількість входів/виходів:
17
Кількість каналів PWM:
2
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CRGCQ
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CRGCQ

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл