Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; TSSOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM02DN70A
28,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM02DN70A
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,8нКл
Корпус: TSSOP8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 13,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 1206

5,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,4Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 360кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 360кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід: динамік; 2x1,5мм2; тросик; CCA; прозорий; неекранований
Провід: динамік; 2x1,5мм2; тросик; CCA; прозорий; неекранований

1237,96 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вміст упаковки:
20м
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В

0,58 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -5В; 1А; THT
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -5В; 1А; THT

25,98 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
-5В
Вихідний струм:
1А
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,87 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD