Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7А; Idm: 38А; 900мВт; TSSOP8
Brand: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
SKU: AOTE32136C
Price: 10.71 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7А; Idm: 38А; 900мВт; TSSOP8

Немає в наявності

Код товару: AOTE32136C

10,71 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

AOTE32136C

Виробник:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

7нКл

Корпус:

TSSOP8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

20В

Опір в стані провідності:

20мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,9Вт

Структура напівпровідника:

загальний дренаж

Струм стока:

7А

Струм стоку в імпульсі:

38А

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Недоступний

Бажані

Запобіжник: плавка; NHC3; керамічний; 315А; 690ВAC; 440ВDC; gG

1002,28 грн

Вид запобіжника:
керамічний

Застосування запобіжників:
захист електрообладнання

Номінальна напруга:
440В DC; 690В AC

Номінальний струм:
315А

Недоступний

Бажані

Резистор: metal film; 8,87Ом; SMD; 400мВт; ±1%; 200В; Ø1,4x3,6мм

1,03 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм

Допуск:
±1%

Зовнішні розміри:
Ø1,4x3,6мм

Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 2,4МОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±5%

Імпульсна макс. напруга:
500В

Корпус - дюйм:
1210

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5,4А; Idm: 20А; 1,7Вт; SOP8

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4,4нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8,5А; Idm: 56А; 1,56Вт; ESD

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
22,1нКл

Корпус:
DFN2030-6

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
2,2нКл

Корпус:
SOT363

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
PDFN3030-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; 30В; 48,1Вт

60,19 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-12...16В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SOP8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9,5нКл

Корпус:
SOP8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 6А; 1,5Вт; TSMT8

27,69 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
30В