1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 28А; Idm: 112А; 18,4Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMQ30DN04TS
34,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMQ30DN04TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: PDFN3030-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 14,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 18,4Вт
Струм стока: 28А
Струм стоку в імпульсі: 112А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: стабілізатор напруги; 800мВ÷4,5В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 800мВ÷4,5В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1

27,69 грн

Вихідна напруга:
0,8...4,5В
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
2,5...5,5В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 16Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 16Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

6,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,85 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 6,8мкГн; 510мА; R: 0,288Ом; ±30%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 6,8мкГн; 510мА; R: 0,288Ом; ±30%; LQH

5,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
6,8мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 14; 2.54mm; tinned
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 14; 2.54mm; tinned

35,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
14
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM,64кБFLASH; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 8кБSRAM,64кБFLASH; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC

176,13 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; TSI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
54
Корпус:
LQFP64
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6