Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; PowerPAK® SO8

Немає в наявності
Код товару: SQJ200EP-T1_GE3
28,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ200EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 15ВDC; SIP7; THT; AM2D-Z; ККД: 82%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 15ВDC; SIP7; THT; AM2D-Z; ККД: 82%

404,21 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
82%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 210ВAC; 275ВDC; 340В; 400А; Ø: 5мм
Варистор: металооксидний; THT; 210ВAC; 275ВDC; 340В; 400А; Ø: 5мм

5,13 грн

Висота:
5мм
Діаметр:
5мм
Енергія E10/1000мкс:
9Дж
Кількість виводів:
2
Недоступний
Pliers: cutting; elongated; ESD; 120mm; Erem; with small chamfer
Pliers: cutting; elongated; ESD; 120mm; Erem; with small chamfer

5171,70 грн

Type of pliers:
для різання
Вид щипці:
продовжені
Діапазон різки:
дріт середньої твердості Ø0,4мм макс.; м'який дріт Ø0,6мм макс.
Довжина щипців:
120мм
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл