1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDC6301N
30,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC6301N
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,7нКл
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±0,5В; ±8В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: 0,22А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 23,7Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 23,7Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Пінцет: прямий; 115мм; для точних робіт; Форма кінц.леза: гострі
Пінцет: прямий; 115мм; для точних робіт; Форма кінц.леза: гострі

1268,37 грн

Використання інструментів:
для точних робіт
Довжина пінцета:
115мм
Тип інструмента:
пінцет
Тип пінцета:
прямий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3ВDC; Uвих.2: -5ВDC; Iвих: 100мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3ВDC; Uвих.2: -5ВDC; Iвих: 100мА

374,43 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
3,3В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 866Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 866Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C

0,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷125°C

0,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 3А; 730мВт; TSOP6

12,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/2,2нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь