Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMC3032LSD-13
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMC3032LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30/-30В
Опір в стані провідності: 0,032/0,039Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 7/-8,1А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,53 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Діод: TVS; ESD; 350Вт; 6В; двоспрямована; SOD323; ролик,cтрічка
Діод: TVS; ESD; 350Вт; 6В; двоспрямована; SOD323; ролик,cтрічка

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
1пФ
Зворотна напруга макс.:
5В
Корпус:
SOD323
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,85x0,45мм
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NQ; 75В
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NQ; 75В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 12,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NS; 75В
Резистор: thick film; 12,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NS; 75В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,3пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 11,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 11,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,09 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 22/85А; 9,6/30Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 22/85А; 9,6/30Вт; DFN5x6

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 600В; 12А; Idm: 66А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 600В; 12А; Idm: 66А

864,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a