Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30/30В; 24/60А; 2,2/2,5Вт

Немає в наявності
Код товару: FDMS3669S
126,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS3669S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24/34нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20/±12В
Напруга сток-джерело: 30/30В
Опір в стані провідності: 14,5/7,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,2/2,5Вт
Струм стока: 24/60А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; R: 110мОм; ±20%; 2,7x2x2мм; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; R: 110мОм; ±20%; 2,7x2x2мм; ферит

4,82 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Недоступний
Резистор: thin film; 374Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 374Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 221кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 221кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 22,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 22,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; ERJP06J
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; ERJP06J

6,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 39кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 39кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø10x10,2мм; ±20%

18,50 грн

Висота:
10,2мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6