Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMN63D8LDWQ-7
8,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN63D8LDWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,26А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Реактор: дротяний; THT; 1,2А; ±20%; Вив: осьові; ферит; 60мОм
Реактор: дротяний; THT; 1,2А; ±20%; Вив: осьові; ферит; 60мОм

6,34 грн

Виводи:
осьові
Допуск:
±20%
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
THT
Недоступний
Недоступний
Резистор: thick film; 649кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 649кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 5,11Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 5,11Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

38,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,5пФ
Недоступний
Тестер: бездотиковий детектор напруги; 12÷1000ВAC,100÷1000ВAC
Тестер: бездотиковий детектор напруги; 12÷1000ВAC,100÷1000ВAC

830,59 грн

Відповідність стандарту:
CAT IV 1000V
Властивості вимірювальних приладів:
автоматичне вимикання; безпровідний індикатор напруги; кліпс; оптична (LED) і акустична сигналізація знайденої напруги; показник низького рівня батареї
Джерело живлення:
батарея AAA 1,5В x2
Діапазон ствердженої напруги:
0,012...1кВ AC; 100...1000В AC
Конденсатор: поліпропиленовий; 3,9нФ; 1кВDC; 12x5,5x10,4мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 3,9нФ; 1кВDC; 12x5,5x10,4мм; THT

5,89 грн

Діаметр виводів:
0,6мм
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3,9нФ
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; 80В; 3,4А; 2Вт; SOP8; автомобільна галузь

44,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SOP8
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений
30В; 9А; SOP8; Канал: збагачений

25,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6