1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 13А; 8Вт; DFN5x6B

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 13А; 8Вт; DFN5x6B
Немає в наявності
Код товару: AON6816
19,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AON6816
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 19,7нКл
Корпус: DFN5x6B
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8Вт
Струм стока: 13А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

81,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Пуск.компл: обчислювальне; Комп: STGIF5CH60TS-L; 3А; 500Вт
Пуск.компл: обчислювальне; Комп: STGIF5CH60TS-L; 3А; 500Вт

5152,69 грн

Використання:
двигуни
Вихідний струм:
3А
Додаткові функції:
датчик температури; датчик швидкості
Захист:
перегрівання OTP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 12; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 12; THT; straight

25,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 5,76кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 5,76кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,29 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Модуль: діодний; одиночний діод; 600В; If: 70А; D55/T-module; 500нс
Модуль: діодний; одиночний діод; 600В; If: 70А; D55/T-module; 500нс

1658,01 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
D55/T-module
Недоступний
Резистор: thin film; 340Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 340Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 35/-35В; 1,54Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252-4