1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AOD603A
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AOD603A
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: додаткова пара
Заряд затвора: 3,8/7,4нКл
Корпус: TO252-4
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60/-60В
Опір в стані провідності: 60/115мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13,5/21,5Вт
Структура напівпровідника: загальний дренаж
Струм стока: 9,5/-9,5А
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 415 CP; 25G0,75мм2; PUR; сірий; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 415 CP; 25G0,75мм2; PUR; сірий; 300В,500В

771,67 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
EN 50618; EN 50620
Недоступний
Індикатор: LED; червоний; 2ВDC; PM3; проводи; 228мм; пластик; 2,5мкд
Індикатор: LED; червоний; 2ВDC; PM3; проводи; 228мм; пластик; 2,5мкд

85,53 грн

Виводи:
проводи
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина відводів:
228мм
Колір індикатора:
червоний
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); SMD; DFN8
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); SMD; DFN8

21,41 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
MSSP (SPI / I2C)
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 150мкФ; 100ВDC; ±20%

74,76 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
16,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
16мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка

802,08 грн

Довжина проводу:
3,1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0805; -65÷170°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0805; -65÷170°C; 100ppm/°C

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; JZ-600 HMH; JZ; 18G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu
Провід; JZ-600 HMH; JZ; 18G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu

924,99 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6