Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

Немає в наявності
Код товару: FDC6561AN
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC6561AN
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,2нКл
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 152мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,96Вт
Струм стока: 2,5А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА

1140,40 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
4,5...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 8,45Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,45Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
8,45Ом
Конденсатор: керамічний; 6,8нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 6,8нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1812

11,91 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
6,8нФ
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 1210

9,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a