Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 2,9А; Idm: 10А; 1,5Вт; ESD

Немає в наявності
Код товару: FDMA2002NZ
61,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMA2002NZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3нКл
Корпус: MicroFET
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 268мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 2,9А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Діод: перемикальний; SMD; 200В; 0,2А; 50нс; SOD323; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 200В; 0,2А; 50нс; SOD323; Ufmax: 1,25В

11,40 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
мало сигнальний
Ємність:
5пФ
Зворотна напруга макс.:
200В
Недоступний
Резистор: thin film; 2,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 2,34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; RN73H; 75В

19,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
23,1нКл
Корпус:
U-DFN2020-6