1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 220мВт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 200мА; Idm: 0,8А; 220мВт
Немає в наявності
Код товару: DMN33D8LDW-7
17,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN33D8LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 1,23нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 20Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,22Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 38; SIL; 2,54мм; прецизійна; THT
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 38; SIL; 2,54мм; прецизійна; THT

103,90 грн

Використання:
SIL
Властивості підставок:
втулкові контакти; закруглені виводи; можливість зламання для отримання необхідної кількості виводів
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
38
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 10; 2.54mm; tinned
Connector: wire-board; socket; female; data; PIN: 10; 2.54mm; tinned

32,69 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
10
Резистор: thick film; 100кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 100кОм; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; 100ppm/°C

3,99 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,13 грн

Alias:
KGF21BR72A223KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Конденсатор: керамічний; 12пФ; 500ВDC; C0G (NP0); SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; 12пФ; 500ВDC; C0G (NP0); SMD; 1111

146,35 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
12пФ
Корпус - дюйм:
1111
Корпус - мм:
2828
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 1кБEEPROM; SPI; 128x8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 1кБEEPROM; SPI; 128x8бит; SOIC8; послідовний

29,71 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,9Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,7Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
8,5/2,9нКл
Корпус:
TSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,31А; 410мВт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,05нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 2,7А; 0,96Вт; SuperSOT-6

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 3,6А; 1,2Вт; SO8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88; ESD

4,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27нКл
Корпус:
SC88