Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 300мА; SOT563

Немає в наявності
Код товару: PJA3474S-AU_R1_007A1
27,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA3474S-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 10В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,3А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Вентилятор: DC; 172x150x51мм; осьовий; 24ВDC; 510м3/г; 52дБА
Вентилятор: DC; 172x150x51мм; осьовий; 24ВDC; 510м3/г; 52дБА

4904,97 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Розгалуджувач; HDMI 1.4; 3D,HDCP 1.3,UHD 2160p; 1,5м; чорний
Розгалуджувач; HDMI 1.4; 3D,HDCP 1.3,UHD 2160p; 1,5м; чорний

1513,56 грн

Вид вихідного з'єднання:
HDMI гніздо x2
Вид вхідного роз'єму:
DC гніздо; HDMI гніздо
Властивості переходу:
стан режиму роботи: LED
Довжина кабелю:
1,5м
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJU08F
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJU08F

1,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 87А; 182Вт

733,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; LP; 47,5x39,6x21,6мм
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; LP; 47,5x39,6x21,6мм

515,08 грн

Вторинна напруга 1:
6,3...12,6В
Зовнішні розміри:
47,5x39,6x21,6мм
Монтаж:
THT
Розмір А:
47,5мм
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230ВAC; IP40
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230ВAC; IP40

3083,51 грн

Вид вимикача:
тип A
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008-1
Диференціальний струм:
0,3А
Електрична стійкість:
10000 цикли
Недоступний
Резистор: thick film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл