Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/54,5А; 8,5/12,5Вт

Немає в наявності
Код товару: AONY36354
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONY36354
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: DFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В; ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5,3/2,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 8,5/12,5Вт
Структура напівпровідника: асиметрична
Струм стока: 31/54,5А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; двоспрямована; DO214AA,SMB; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 0,6кВт; 51В; двоспрямована; DO214AA,SMB; ролик,cтрічка

3,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
51В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-912; steel; 0.6N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-912; steel; 0.6N; plug-in

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
1,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; HP; 300В
Резистор: thick film; 1,2МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; HP; 300В

3,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 20А

18,75 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
7
Недоступний
Резистор: thin film; 3,97кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 3,97кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD