1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 27А; Idm: 90А; 12Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 27А; Idm: 90А; 12Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C478NWFT1G
129,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C478NWFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,3нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: 27А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,4пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 562кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 562кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 1,5А; 150нс; DO214AA,SMB; Ufmax: 1,3В
Діод: випрямний; SMD; 100В; 1,5А; 150нс; DO214AA,SMB; Ufmax: 1,3В

5,39 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 13,8В; 6,94А; односпрямована; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 1кВт; 13,8В; 6,94А; односпрямована; Ch: 1; -65÷150°C

77,29 грн

Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
13,8В
Недоступний
Інтегрований ІЧ-приймач; 56кГц; 2,5÷5,5В; 45°
Інтегрований ІЧ-приймач; 56кГц; 2,5÷5,5В; 45°

63,99 грн

Кут поля зору:
45°
Монтаж:
THT
Напруга живлення:
2,5...5,5В
Тип фотоелемента:
інтегрований ІЧ-приймач
Недоступний
Tap: metric; M14; fine thread,right hand thread; 1; L: 100mm; 9mm
Tap: metric; M14; fine thread,right hand thread; 1; L: 100mm; 9mm

3423,09 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD