Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 30А; Idm: 200А; 22,7Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 30А; Idm: 200А; 22,7Вт
Brand: DIOTEC SEMICONDUCTOR
SKU: DI048N04PQ2-AQ
Price: 70.32 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DI048N04PQ2-AQ

70,32 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DI048N04PQ2-AQ

Виробник:

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

48нКл

Корпус:

QFN5x6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

11,5мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

22,7Вт

Струм стока:

30А

Струм стоку в імпульсі:

200А

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
33нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,5/1,7нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
2,3нКл

Корпус:
SuperSOT-6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
23нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,3нКл

Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363