Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDC6303N
36,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,3нКл
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 25В
Опір в стані провідності: 0,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: 0,68А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 3,75кВ; SOIC8
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 3,75кВ; SOIC8

50,05 грн

Вид виходу:
транзисторний
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм

31,55 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
101мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thin film; 114Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 114Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 392мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 392мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NQ; 200В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -3,6А; 1,4Вт; MicroFET

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363; ESD

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 22/85А; 9,6/30Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 22/85А; 9,6/30Вт; DFN5x6

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 600В; 12А; Idm: 66А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 600В; 12А; Idm: 66А

864,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,96Вт

65,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-6