Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 36А; Idm: 110А; 14Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C470NLT1G
137,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C470NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 11,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 14Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 25x20AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 25x20AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu

63517,56 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(uL) AWM I/II A/B FT1; UL 2587
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8

154,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SO8
Недоступний
Конденсатор: танталовий; low ESR; 47мкФ; 20ВDC; SMD; E; 2917; ±10%
Конденсатор: танталовий; low ESR; 47мкФ; 20ВDC; SMD; E; 2917; ±10%

50,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Корпус:
E
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 5А; макс.250ВAC; макс.250ВDC; IP67
Кінцевий датчик; NO + NC; 5А; макс.250ВAC; макс.250ВDC; IP67

7646,36 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NO + NC
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; X-Lok; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; X-Lok; прямий

497,34 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
8
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,12 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
UMT6
Модель:
ESD
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 1,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 1,5Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,6/1,4нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 50/-60В; 360/-200мА; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,95/1,1нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 750/-660мА; 200мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 750/-660мА; 200мВт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1/2,2нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 15А; Idm: 60А; 11,36Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 15А; Idm: 60А; 11,36Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
PDFN3030-8
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

18,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,2нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт