1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 49А; Idm: 169А; 19Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 49А; Idm: 169А; 19Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NVMFD5C466NT1G
105,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFD5C466NT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 8,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: 49А
Струм стоку в імпульсі: 169А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; прямий
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; прямий

376,96 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
4
Діод: випрямний; SMD; 600В; 15А; 60нс; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 15А; 60нс; D2PAK,TO263AB; Ufmax: 1,1В

141,92 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,22 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: 15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: 15ВDC

1331,10 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
15В DC
Вихідний струм:
35мА
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 32А; Фікс.поз: 2
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 32А; Фікс.поз: 2

3904,59 грн

Кількість полюсів:
3
Кількість фіксованих позицій:
2
Максимальна потужність:
15кВт
Монтаж:
для вбудовування
Недоступний
Резистор: thick film; 6,98Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 6,98Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD