1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5А; 1,28Вт; SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 5А; 1,28Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: AO4840
15,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AO4840
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 4,3нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,28Вт
Струм стока: 5А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 148; vertical; 1mm; thermoplastic
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 148; vertical; 1mm; thermoplastic

330,08 грн

Connector family:
data
Висота після з'єднання:
12мм
Кількість пін:
148
Матеріал корпусу:
термопласт
Діод: TVS; 0,6кВт; 33,3÷38,3В; 12,4А; односпрямована; SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 33,3÷38,3В; 12,4А; односпрямована; SMB

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMB
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 1.5A

440,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Захисна кришка; IP67; 820,870
Захисна кришка; IP67; 820,870

227,45 грн

Застосування - серія/виробник:
820; 870
Клас герметичності:
IP67
Тип аксесуарів для роз’ємів:
захисна кришка
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 83мА; 83мА; PCB; IP00; VB
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 83мА; 83мА; PCB; IP00; VB

287,00 грн

Відповідність стандарту:
EN 61558-2-6; UL 5085-1
Вторинна напруга 1:
12В
Вторинна напруга 2:
12В
Зовнішні розміри:
27,8x32,8x27,4мм
Недоступний
Перемикач: важільний; Поз: 3; DPDT; ON-ON-(ON); 15A/125ВAC; TL; IP67
Перемикач: важільний; Поз: 3; DPDT; ON-ON-(ON); 15A/125ВAC; TL; IP67

3925,50 грн

Виводи:
болтове
Вид важеля:
круглий
Висота важеля:
26,7мм
Відповідність стандарту:
CE; CSA; UL
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/1,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1Вт; DFN6; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
DFN6
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT563
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,9А; 0,27Вт

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SC70-6; SOT363