1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTZD3152PT1G
19,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTZD3152PT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,7нКл
Корпус: SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,25Вт
Струм стока: -430мА
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Резистор: thick film; 22кОм; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц

0,00 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
GQFN8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 25/-25В; 0,9Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3/1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 2,7А; 31Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл