Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AO4882
16,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: AO4882
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 3нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 19мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 1.5N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 1.5N; plug-in

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2,5мм
Довжина:
34мм
Недоступний
Лінза для LED; прямокутна; плексіглас PMMA; прозорий; діоди LED
Лінза для LED; прямокутна; плексіглас PMMA; прозорий; діоди LED

309,17 грн

Type of optoelectronics accessories:
лінза для LED
Використання:
діоди LED
Висота:
9мм
Застосування - серія/виробник:
LED CREE; LED LUMILEDS; LED NICHIA; LUXEON A; LUXEON Rebel; LUXEON Rebel ES
Недоступний
Резистор: thin film; 2,43кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 2,43кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 100мА; 150мВт

5,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,1А
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 80В; 2Вт; SOP8

48,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD