1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSD235CH6327XTSA1
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT-363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20/-20В
Опір в стані провідності: 0,415/1,221Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,95/-0,53А
Технологія: OptiMOS™ 2
Тип транзистора: N/P-MOSFET
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,07 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; прямий
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; прямий

310,44 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
4
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 84%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 84%

299,04 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
84%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Резистор: thick film; 97,6кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 97,6кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,27 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thin film; 4,22кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; 50В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 4,22кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; 50В; 25ppm/°C

1,56 грн

Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5,6А; 1,3Вт; SO8

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 2,1Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,96Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/2,2нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-50В; 0,2Вт

14,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD