Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 7,6А; Idm: 50А; 3,1Вт; SO8

Name: Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 7,6А; Idm: 50А; 3,1Вт; SO8
Brand: DIOTEC SEMICONDUCTOR
SKU: DI7A6N04SQ2
Price: 22.17 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DI7A6N04SQ2

22,17 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DI7A6N04SQ2

Виробник:

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

18нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

32мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3,1Вт

Струм стока:

7,6А

Струм стоку в імпульсі:

50А

Тип транзистора:

N-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,6/2,2нКл

Корпус:
SOT363

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; TSSOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
8,8нКл

Корпус:
TSSOP8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 32А; Idm: 128А; 25Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
PDFN5060-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
25,8нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
4/7нКл

Бажані

Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Напруга сток-джерело:
-20В

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Тип транзистора:
N/P-MOSFET