1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 45В; 24А; Idm: 160А; 31Вт; QFN5x6
Немає в наявності
Код товару: DI038N04PQ2-AQ
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI038N04PQ2-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 45В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 25,5Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 25,5Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; RK73H; 200В

1,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 28,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.
Резистор: thick film; 28,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.

0,15 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 4; 5В; SOP14; IB: 20000пА
IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 4; 5В; SOP14; IB: 20000пА

13,94 грн

Вхідний поляризаційний струм:
20нА
Вхідний струм зміщення нуля:
20нА
Кількість каналів:
4
Корпус:
SOP14
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 180мм

0,78 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RK73H; 200В

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 3,75кВ; Uce: 80В; SO6
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 3,75кВ; Uce: 80В; SO6

8,87 грн

CTR@If:
50-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO6
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20/15нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,5А; Idm: 60А; 1,56Вт; ESD

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 8А; 450мВт; CSP6; ESD

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
CSP6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 7,5/-5,5А; 2,2Вт; SOP8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26/20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 180мА; 150мВт

8,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,18А
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений
100В; 2А; TSMT8; Канал: збагачений

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
4А; Канал: збагачений; 1Вт
4А; Канал: збагачений; 1Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,5нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1Вт