1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,37А; Idm: 1А; 0,4Вт; ESD

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,37А; Idm: 1А; 0,4Вт; ESD
Немає в наявності
Код товару: DMN53D0LDWQ-7
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN53D0LDWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 1,4нКл
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 0,37А
Струм стоку в імпульсі: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Вимикач максимального струму; 35А; Полюси: 3; на шину DIN
Вимикач максимального струму; 35А; Полюси: 3; на шину DIN

5681,71 грн

Кількість полюсів:
3
Монтаж:
на шину DIN
Номінальний струм:
35А
Тип захисного пристрою:
вимикач максимального струму
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,2пФ
Недоступний
IC: Ethernet switch; MDC,MDI,MDI-X,MDIO,MII,SPI; PQFN128; лоток
IC: Ethernet switch; MDC,MDI,MDI-X,MDIO,MII,SPI; PQFN128; лоток

766,60 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
PHY
Інтерфейс:
MDC; MDI; MDIO; MDI-X; MII; SPI
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Недоступний
Резистор: thick film; 7,87кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 7,87кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 48,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 180кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0402; 0,1Вт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0402; 0,1Вт; ±0,1%; -55÷155°C

1,03 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 4/-3А; 1,4Вт; SO8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 6,7А; Idm: 30А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,25Вт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,5/1,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 8А; 1,3Вт; SO8

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,68А; 0,9Вт; SuperSOT-6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,3нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363