1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 350мА; 430мВт; SOT563

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 350мА; 430мВт; SOT563
Немає в наявності
Код товару: DMN53D0LV-7
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN53D0LV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,6нКл
Корпус: SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,43Вт
Струм стока: 0,35А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

3,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1,8нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 10ppm/°C

2,46 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 470мкФ; 250ВDC; Ø30x30мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 470мкФ; 250ВDC; Ø30x30мм

420,05 грн

Висота:
30мм
Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Ємність:
470мкФ
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 55В; SMD6; туба
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 55В; SMD6; туба

0,00 грн

Вид виходу:
Darlington
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0402; 200мВт; ±1%; ERJPA2F
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0402; 200мВт; ±1%; ERJPA2F

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

6,59 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл