Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 360мА; SOT363

Немає в наявності
Код товару: PJS6832_S1_00001
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJS6832_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 50В
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,36А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
IC: мультіплексор; SP4T; Ch: 2; TSSOP16; 1,08÷5,5ВDC; ролик,cтрічка
IC: мультіплексор; SP4T; Ch: 2; TSSOP16; 1,08÷5,5ВDC; ролик,cтрічка

34,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
2000шт.
Кількість каналів:
2
Конфігурація виходу:
SP4T
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 2кВ; Y5P; ±10%; THT
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 2кВ; Y5P; ±10%; THT

4,62 грн

Діелектрик:
Y5P
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 1000мкФ; 25ВDC
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 1000мкФ; 25ВDC

56,39 грн

Вид конденсатора:
біполярний
Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.5mm; GKS-100; CuBe; 2N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.5mm; GKS-100; CuBe; 2N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,5мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2,1кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 2,1кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD