1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,073А; Idm: 0,8А; 0,25Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,073А; Idm: 0,8А; 0,25Вт
Немає в наявності
Код товару: DMN66D0LDW-7
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN66D0LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,25Вт
Струм стока: 0,073А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD

16,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 47мкФ; 6,3ВDC; ±20%

2,35 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
5,7мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

6,34 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 3,3ВDC; Uвих: 18ВDC; THT; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 3,3ВDC; Uвих: 18ВDC; THT; OUT: 1

146,98 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вхідна напруга:
3,3В DC
Зовнішні розміри:
11,6x6x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

947,80 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,3А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Конденсатор: поліестровий; 680нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±5%; THT
Конденсатор: поліестровий; 680нФ; 40ВAC; 63ВDC; 5мм; ±5%; THT

13,94 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Ємність:
0,68мкФ
Монтаж:
THT
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,4А; 0,95Вт

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
23,1нКл
Корпус:
U-DFN2020-6