1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMBT7002KDW
11,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBT7002KDW
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,44нКл
Корпус: SOT363
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,3А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 110Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 110Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 15А; 300В
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 15А; 300В

140,02 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
чорний
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
Обслуговування інтерфейсу; 10÷60°C; 458x66x178мм; H: 178мм
Обслуговування інтерфейсу; 10÷60°C; 458x66x178мм; H: 178мм

20973,80 грн

Висота:
178мм
Робоча температура:
10...60°C
Розміри:
458x66x178мм
Супутні товари:
IGN-113484
Недоступний
Реле: електромагнітнe; 48ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; 60.13
Реле: електромагнітнe; 48ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; 60.13

1606,69 грн

Зовнішні розміри:
36,4x32,5x54,2мм
Конфігурація контактів:
3PDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgNi + Au
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±10%; AS; 500В
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±10%; AS; 500В

4,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 5,3А; Idm: 32А

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
43нКл