1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 115мА; Idm: 800мА; 120мВт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 115мА; Idm: 800мА; 120мВт
Немає в наявності
Код товару: 2N7002KDW_R1_00001
9,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002KDW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,8нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,12Вт
Струм стока: 0,115А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: metal strip; 33мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD
Резистор: metal strip; 33мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD

11,02 грн

Вид резистора:
вимірювальний; струмовий шунт
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,6пФ
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 1.3mm; series 100; 3N; 20mΩ; L: 33.4mm
Test probe: ICT/FCT; 3A,4A; Ø: 1.3mm; series 100; 3N; 20mΩ; L: 33.4mm

69,06 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,4мм
Діаметр наконечника:
1,3мм
Довжина:
33,4мм
Недоступний
Ланцюгова напрямна; LIGHT; Рад.заг: 45мм; L: 986мм; Внутр.вис: 17мм
Ланцюгова напрямна; LIGHT; Рад.заг: 45мм; L: 986мм; Внутр.вис: 17мм

1385,58 грн

Внутрішня висота:
17мм
Внутрішня ширина:
50мм
Довжина:
986мм
Зовнішня висота:
23мм
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0402; 125мВт; ±0,1%; RS73F; 75В
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0402; 125мВт; ±0,1%; RS73F; 75В

0,89 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Кристал; 6пФ; SMD; ESR: 100Ом; 2x1,6x0,7мм; 31,25МГц; ±30ppm
Кристал; 6пФ; SMD; ESR: 100Ом; 2x1,6x0,7мм; 31,25МГц; ±30ppm

8,30 грн

Допуск:
±30ppm
Ємність:
6пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
100Ом
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; приймач; Дальність: 6000мм; NPN; 0,2м
Датчик: фотоелектричний; приймач; Дальність: 6000мм; NPN; 0,2м

6609,87 грн

Вид датчика:
приймач
Дальність:
6м
Довжина відводів:
0,2м
Зовнішні розміри:
8x25,1x14,1мм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD