Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 17А; Idm: 95А; 38Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK7K35-60EX
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK7K35-60EX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 12,5нКл
Корпус: LFPAK33; SOT1210
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 67мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38Вт
Струм стока: 17А
Струм стоку в імпульсі: 95А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC

359,22 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI; UART
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206

20,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD

23,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
IPAK
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16

884,44 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
CFI; SPI
Корпус:
SOIC16
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

281,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6/5,4нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 11А; Idm: 70А; 1,56Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 11А; Idm: 70А; 1,56Вт; ESD

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
DFN2030-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; Idm: 14А; 6,94Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; Idm: 14А; 6,94Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,215А; 0,3Вт; SOT363

18,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 3,5А; 2Вт; DFN

17,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
DFN
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 100В; 4А; TSMT8

27,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD