Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 19А; Idm: 63А; 11Вт; DFN8

Немає в наявності
Код товару: NVMFWD030N06CT1G
136,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFWD030N06CT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,7нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 29,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 11Вт
Струм стока: 19А
Струм стоку в імпульсі: 63А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 20МГц; NFBGA113; I2C,IrDA,SPI,USART
IC: мікроконтролер MSP430; 20МГц; NFBGA113; I2C,IrDA,SPI,USART

646,22 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; IrDA; SPI; USART
Кількість таймерів 16бит:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8Ом; SMD; 0402; 167мВт; ±1%; SR73-RT
Резистор: thick film; 1,8Ом; SMD; 0402; 167мВт; ±1%; SR73-RT

6,97 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thin film; 23,2кОм; 63мВт; 1x0,5x0,35мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 23,2кОм; 63мВт; 1x0,5x0,35мм; -55÷155°C

29,27 грн

Опір:
23,2кОм
Потужність:
63мВт
Робоча температура:
-55...155°C
Розміри корпусу:
1x0,5x0,35мм
Connector: wire-board; data; PIN: 5; shrouded; straight; soldering
Connector: wire-board; data; PIN: 5; shrouded; straight; soldering

8,30 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
5
Модель роз’єму:
закриті
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; UFQFPN48; 1,7÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 64МГц; UFQFPN48; 1,7÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
12bit ADC; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; RTC; watchdog
Інтерфейс:
CAN-FD x2; HDMI CEC; I2C x3; LPUART; SPI x3; USART x6; USB
Резистор: thin film; 43кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 43кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; 500мА; 150мВт

9,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,15Вт
Струм стока:
0,5А
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 6А; 2Вт; SOP8

28,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,9нКл
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8
Транзистор: N-MOSFET x2; 60В; 5,5А; TSMT8

31,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,6нКл
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; 250мА; 300мВт

4,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,3Вт
Струм стока:
0,25А
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2А; 2Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 1,4/-1,5А; 0,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD