1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 200мА; Idm: 1,2А; 390мВт

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 200мА; Idm: 1,2А; 390мВт
Немає в наявності
Код товару: DMN63D1LDW-7
24,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN63D1LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 304пКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,39Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 255кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 255кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
LED; зелений; овальний; 5x4,1мм; 12000÷15000мкд; 70/40°; 20мА
LED; зелений; овальний; 5x4,1мм; 12000÷15000мкд; 70/40°; 20мА

0,00 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі λd:
520...530нм
Кількість виводів:
2
Колір діода LED:
зелений
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 1,4кВ; If: 35А; Ifsm: 450А; THT
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 1,4кВ; If: 35А; Ifsm: 450А; THT

325,65 грн

Виводи:
конектори FASTON
Вид упаковки:
лоток
Властивості напівпровідникових елементів:
сертифікат UL
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

14,13 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; UQFN28; PIC24; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 32МГц; SMD; UQFN28; PIC24; 8кБSRAM

106,44 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMAC x6; HLVD; LCD controller; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; FIFO; I2C x2; I2S; IrDA; JTAG; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SPI x2; UART x4
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 24,4÷26,9В; 423А; односпрямована; SPD4; розсипний
Діод: TVS; 15кВт; 24,4÷26,9В; 423А; односпрямована; SPD4; розсипний

1400,15 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
22В
Корпус:
SPD4
Монтаж:
SMD
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт
1,5А; Канал: збагачений; 500мВт

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,4нКл
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 45В; 4,5А; SOP8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; 40В; 21Вт; HSOP8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,6нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6