1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 24А; Idm: 85А; 14Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 24А; Idm: 85А; 14Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NVMFWD024N06CT1G
107,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFWD024N06CT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,7нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 22,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 14Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 85А
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Недоступний
Вим: 5x3,2мм; 18пФ; SMD; ESR: 30Ом; 5x3,2x0,9мм; 25МГц; -40÷125°C
Вим: 5x3,2мм; 18пФ; SMD; ESR: 30Ом; 5x3,2x0,9мм; 25МГц; -40÷125°C

0,00 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
30Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 200Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 40А; DIP
Перетворювач: DC/DC; 200Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 40А; DIP

3750,64 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
40А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Зовнішні розміри:
58,4x22,9x11,4мм
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 11В; DO35; одиночний діод
Діод: зенера; 0,5Вт; 11В; DO35; одиночний діод

1,63 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 649кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 649кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реактор: дротяний; 22мкГн; 11,5x10,3x4мм; 66мОм
Реактор: дротяний; 22мкГн; 11,5x10,3x4мм; 66мОм

86,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Індуктивність:
22мкГн
Опір макс.:
66мОм
Розміри корпусу:
11,5x10,3x4мм
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; 10кОм; 6бит; TSSOP24; SMD; Ch: 4
IC: цифровий потенціометр; SPI; 10кОм; 6бит; TSSOP24; SMD; Ch: 4

0,00 грн

Вид пам’яті:
енергонезалежний
Інтерфейс:
SPI
Кількість всіх позицій:
64
Кількість каналів:
4
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 32А; OFF-ON; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 32А; OFF-ON; для вбудовування

9074,39 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком; фіксується в положенні 0 (OFF)
Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
8
Кількість фіксованих позицій:
2
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -4,9А; 2Вт; SO8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,28Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
4,3/8нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -2,5А; 0,96Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 100В; 3,5А; 31Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 15А; 2,1Вт; SO8

126,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26; ESD

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Модель:
ESD